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俄罗斯欲自研 EUV 光刻机，价格更低制造更易
发布时间：2024年12月19日 19时46分10秒 报道 人已围观
简介俄罗斯公布自主开发 EUV 光刻机路线图，目标是更便宜、易制造，采用 11.2nm 激光光源，而非 ASML 标准。...
快科技 12 月 19 日消息，有报道称，俄罗斯已制定自主研发 EUV（极紫外光刻）光刻机的路线图，目标是使其比 ASML 的光刻机更便宜、更易于制造。
据了解，俄罗斯自主研发的光刻机将采用 11.2nm 的激光光源，而非 ASML 的 13.5nm 标准。这一波长将与现有的 EUV 设备不兼容，俄罗斯需要建立自己的光刻生态系统，这可能需要十年甚至更长时间。
包括电子设计自动化（EDA）工具也需要进行更新。虽然现有的 EDA 工具仍能完成逻辑合成、布局和路由等基本步骤，但在涉及曝光的关键制程，如光罩数据准备、光学邻近校正（OPC）和分辨率增强技术（RET）等方面，需要重新校准或升级为适合 11.2nm 的新制程模型。
该项目计划由俄罗斯科学院微结构物理研究所的 Nikolay Chkhalo 领导，旨在制造出具有竞争力且成本优势的 EUV 光刻机，以抗衡 ASML 的设备。
Chkhalo 表示，11.2nm 波长的分辨率提高了 20%，能够提供更精细的细节，同时简化设计并降低光学元件的成本。
这种调整大大减少了光学元件的污染，延长了收集器和保护膜等关键部件的使用寿命。
俄罗斯的光刻机还可以使用硅基光阻剂，预计在较短波长下将有更出色的性能表现。尽管该光刻机的产量仅为 ASML 设备的 37%，因为其光源功率仅为 3.6 千瓦，但性能足以满足小规模芯片生产的需求。
据报道，俄罗斯光刻机的开发将分为三个阶段，第一阶段将专注于基础研究、关键技术识别和初步元件测试。
第二阶段将制造每小时可处理 60 片 200 毫米晶圆的原型机，并整合到国内芯片生产线中。
第三阶段的目标是打造一套可供工厂使用的系统，每小时可处理 60 片 300 毫米晶圆。
目前尚不清楚其光刻机将支持哪些制程技术，路线图也未提及各阶段的完成时间。
