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三星HBM4内存开始试生产，预计2025年底实现量产
发布时间：2025年01月06日 09时29分12秒 资本 人已围观
简介三星DS部门的存储业务近日完成了HBM4内存的逻辑芯片设计，Foundry业务部也已根据此设计开始进行4nm试产。HBM（高带宽存储器）以其卓越性能，广泛应用于高性能计算领域。...
新标360快讯1月6日报道，三星的存储部门成功完成了HBM4内存逻辑芯片的设计。同时，其铸造部门也基于这一设计进行了4nm的试产。
高带宽存储器（HBM）因其卓越的性能，在高性能计算（HPC）、人工智能（AI）以及图形处理单元（GPU）等尖端领域发挥着重要作用。
据内部人士透露，运行期间的热量问题一直以来都是制约HBM发展的主要因素，而在整个堆栈结构中，逻辑芯片则是发热最严重的部分。因此，采用先进工艺技术对提升HBM4的能效和性能至关重要。
在生产环节，三星除了使用自家4nm工艺制造逻辑芯片外，还采用了10nm工艺来生产DRAM，从而打造更出色的HBM4产品。
根据行业数据，HBM4标准支持高达2048位的接口以及6.4GT/s的数据传输速率。与HBM3E相比，HBM4的单堆栈带宽已提升至1.6TB/s，这一显著增幅极大增强了内存系统的数据处理能力，使其能更有效地应对人工智能、深度学习、大数据处理和高性能计算等领域对内存性能的高需求。
当前，三星的HBM4开发工作正在稳步进行，预计将在2025年下半年正式进入量产阶段。
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